電流型失效

　　常見于固體鉭的異常漏電流巨大，一方面表明其氧化膜上的缺陷部分惡化，引起介質(zhì)的漏導(dǎo)增大，最后導(dǎo)致介質(zhì)短路，大多數(shù)情形下，自愈特性會修復(fù)這些疵點(diǎn)，但如處于充放電過于頻繁的場合，這種介質(zhì)瞬時(shí)擊穿也會弄得不可收拾導(dǎo)致突然失效。因此，電壓一定時(shí)，串聯(lián)電阻可以顯著減小失效。

　　電壓型失效

　　是指使用中的不當(dāng)導(dǎo)致工作電壓或浪涌電壓突然過高，結(jié)果引起局部閃火，終致介質(zhì)擊穿；另外是長期經(jīng)受高的工作電壓，而氧化膜不可避免地存在著雜質(zhì)或其它缺陷；當(dāng)這些部位的場強(qiáng)較高，電流密度較大，導(dǎo)致局部高溫點(diǎn)出現(xiàn)，從而留下了誘發(fā)熱致晶化的隱患。

  在金屬氧化物界面的某些點(diǎn)上，由于金屬里含有雜質(zhì)，也成了誘發(fā)場致晶化成核的因素，當(dāng)溫度升高時(shí)，便促進(jìn)了晶核的形成和生長。因?yàn)榫w要達(dá)到一定大小后，才會使無定形氧化膜破裂，所以晶體生長的快慢是決定電容器壽命的一個(gè)因素，試驗(yàn)表明，使晶體生長到足以引起氧化膜破裂臨界尺寸的時(shí)間是場強(qiáng)的指數(shù)函數(shù)。隨著施加電壓增加（即場強(qiáng)提高）和環(huán)境溫度的提高（相應(yīng)的缺陷部位溫度更高），電容器的失效率也就增加，在晶體生長階段，對電容器性能并沒有顯著影響，只在氧化膜破裂時(shí)，絕緣會完全喪失，導(dǎo)致突然失效。

　　發(fā)熱型失效

　　一般認(rèn)為是由于產(chǎn)品的tg太大導(dǎo)致熱不平衡，熱量累積以致熱破壞，但隨著高頻化，趨膚效應(yīng)，是另一種熱失效模式。 

　　對固體鉭電容承受大的沖擊電流對產(chǎn)品性能的影響研究中，例如應(yīng)用在計(jì)算機(jī)電源里作為去耦元件以及開關(guān)電源的輸出濾波元件時(shí)，所遇到的瞬時(shí)高頻大電流的沖擊，分析其失效原因發(fā)現(xiàn)MnO2層及銀層部分，已破裂脫開鉭塊，由于局部熱點(diǎn)的低阻和較差的熱導(dǎo)接觸，發(fā)生局部高溫，最后造成介質(zhì)的熱擊穿，按照傳輸線理論，電容器鉭塊可視為一RC組成單元，在高頻時(shí)（例如脈沖的前沿部分），電流只在鉭塊表面通過，而未及內(nèi)部，因此電量集中在表面，電流密度很大。未能均勻分布在鉭塊全部，所以表面成為電量集中區(qū)域，而主要集中在鉭塊的一小部分面積上，如鉭塊的上下肩部，一方面該處曲率很大，不利于導(dǎo)熱和散熱；另一方面，肩部的MnO2層較薄，電阻小，因此沖擊電流失效的擊穿是源于發(fā)熱，成為發(fā)熱型失效的典型。