片式壓敏電阻器是通過使用流延工藝將電極層和半導體功能陶瓷層交錯燒結而成的半導體陶瓷元件。層棟電極與元器件的端面電極交錯，增大了對電極的有效面積，從而提高了元器件承受浪涌電壓的能力。片式壓敏電阻器是一種具有對稱伏安特性的壓敏電阻器。它的電阻隨外加電壓的增加而非線性減小。當電壓在一定范圍之內進一步升高時，這種非線性響應更加明顯。

片式壓敏電阻器是通過使用流延工藝將電極層和半導體功能陶瓷層交錯燒結而成的半導體陶瓷元件。層棟電極與元器件的端面電極交錯，增大了對電極的有效面積，從而提高了元器件承受浪涌電壓的能力，片式壓敏電阻的壓敏電壓，即浪涌響應電壓，取決于兩個電極層間的厚度，與整個元器件的厚度無關。元件的流通能力主要由交錯層數(shù)決定，交錯層數(shù)隨著元件尺寸的增加而增加。

片式壓敏電阻器是一種具有對稱伏安特性的壓敏電阻器。它的電阻隨外加電壓的增加而非線性減小。當電壓在一定范圍之內進一步升高時，這種非線性響應更加明顯。直流工作電壓：在規(guī)定的環(huán)境條件之下，為保證片式電壓敏感電阻器正常工作而允許連續(xù)施加的最大直流電壓值，也作為測量泄漏電流的參考點，泄漏電流通常低于元器件的敏感電壓。

交流工作電壓：在規(guī)定的環(huán)境條件之下，允許連續(xù)施加的最大交流電壓值，以保證片式壓阻器正常工作。

最大浪涌電流（峰值電流Ip）是指在規(guī)定的脈沖波形（8/20us）和相應的電壓之下，保證片式壓敏電阻器正常工作的最大電流。該脈沖可以從元件的任何一端施加。

最大浪涌能量（能量耐力Es）:在規(guī)定的脈沖波形（10/1000us）之下，最大脈沖能量保證片式壓敏電阻能正常工作。

漏電流（IL）：在非導電模式之下，元件具有非常高的阻抗（接近1.0E 9歐姆），并且在系統(tǒng)之中開路，此時泄漏電流非常低（室溫下<5uA）。齊納二極管不同，片式壓敏電阻具有低泄漏電流特性，在最高工作溫度之下，泄漏電流不超過50uA。