陶瓷片式電容器具有良好的高頻特性，但最大電容只能為0.1 uF。片式陶瓷電容器也屬于陶瓷電容器，是一個統(tǒng)稱。陶瓷片式電容器是以陶瓷材料為介質，在陶瓷表面鍍上一層金屬膜，然后經高溫燒結而成的電容器。在高穩(wěn)定的振蕩電路之中，正電容溫度系數(shù)小的電容器用作回路電容器和填充電容器。這種電容器不應該用在脈沖電路之中，因為它們很容易被脈沖電壓刺穿。

整體電容器相對穩(wěn)定，溫度漂移系數(shù)小，電容值可達1uF，使用壽命長，等效直流電阻小，價格稍貴。

陶瓷片式電容器具有良好的高頻特性，但最大電容只能為0.1 uF。片式陶瓷電容器也屬于陶瓷電容器，是一個統(tǒng)稱。陶瓷片式電容器是以陶瓷材料為介質，在陶瓷表面鍍上一層金屬膜，然后經高溫燒結而成的電容器。常用于高穩(wěn)定性振蕩電路之中，作為電路、旁路電容器和焊盤電容器。在高穩(wěn)定的振蕩電路之中，正電容溫度系數(shù)小的電容器用作回路電容器和填充電容器。低頻陶瓷電容器僅在工作頻率較低的電路之中，或對穩(wěn)定性和損耗要求較低的電路（包括高頻）之中用作旁路或直流隔離。這種電容器不應該用在脈沖電路之中，因為它們很容易被脈沖電壓刺穿。

陶瓷電容器是用高介電常數(shù)電容陶瓷（鈦酸鋇和氧化鈦），擠壓成圓管、盤狀或圓盤狀為介質，用燒結熔滲法在陶瓷為電極之上鍍銀而成。它分為兩種：高頻瓷介和低頻瓷介。在高穩(wěn)定的振蕩電路之中，正電容溫度系數(shù)小的電容器用作回路電容器和填充電容器。低頻陶瓷電容器僅在工作頻率較低的電路之中，或對穩(wěn)定性和損耗要求較低的電路（包括高頻）之中用作旁路或直流隔離。這種電容器不應該用在脈沖電路之中，因為它們很容易被脈沖電壓刺穿。