近期中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌，武漢新芯確立為中國(guó)的DRAM（內(nèi)存芯片）、3D NAND Flash（3D NAND閃存）、NOR Flash（NOR閃存）等三大技術(shù)的重要存儲(chǔ)芯片基地。正當(dāng)我們立足國(guó)內(nèi)以自強(qiáng)，國(guó)外卻傳來(lái)消息稱(chēng)，清華紫光集團(tuán)擬以230億美元的總價(jià)向芯片存儲(chǔ)巨頭美光科技發(fā)出收購(gòu)邀約。

武漢新芯生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片絕非偶然，在最新的全球內(nèi)存條市場(chǎng)份額排名當(dāng)中，中國(guó)的記憶科技（RAMAXEL）異軍突起占據(jù)第二名，領(lǐng)先威剛、美光等傳統(tǒng)豪強(qiáng)。記憶科技能生產(chǎn)內(nèi)存條不假，遺憾的是內(nèi)存芯片卻無(wú)自主產(chǎn)權(quán)。

記憶科技占據(jù)全球內(nèi)存條市場(chǎng)份額的第二名

什么時(shí)候國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條能用上我們自主生產(chǎn)的芯片，武漢新芯最快也得3-5年時(shí)間。"一帶一路"和亞投行箭在弦上，時(shí)間不等人，什么辦法最快？清華紫光收購(gòu)美光的傳聞不脛而走，毫無(wú)疑問(wèn)，它是最快能實(shí)現(xiàn)中國(guó)內(nèi)存芯片的辦法。

無(wú)論是立足國(guó)內(nèi)生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，還是未證實(shí)的海外收購(gòu)存儲(chǔ)企業(yè)傳聞，它的背后隱藏什么玄機(jī)？國(guó)產(chǎn)內(nèi)存、美光收購(gòu)會(huì)遇到什么障礙？今天我們將對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行剖析。

年逾2000億進(jìn)口 芯片亟需自主生產(chǎn)

在李克強(qiáng)總理和國(guó)務(wù)院規(guī)劃的"中國(guó)制造2025"的遠(yuǎn)景建設(shè)，其中"先進(jìn)存儲(chǔ)"、"大容量存儲(chǔ)"郝然在列，它們屬于大力推動(dòng)突破發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域－－新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)。我國(guó)每年用于進(jìn)口芯片的花費(fèi)為2000多億美元，包含處理器（CPU）、內(nèi)存、閃存芯片，這些芯片亟需自主生產(chǎn)，哪些是可行的？