當(dāng)通過(guò)芯片電感的電流發(fā)生變化時(shí)，芯片電感產(chǎn)生的直流電壓動(dòng)量停止電流變化。當(dāng)通過(guò)電感線(xiàn)圈的電流增大時(shí)，電感線(xiàn)圈產(chǎn)生的自感電動(dòng)勢(shì)隨著電感線(xiàn)圈電流的增大而減小。自感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)和電流方向相同。在防止電流減少的同時(shí)，釋放存儲(chǔ)的能量來(lái)補(bǔ)償電流的減少。交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓取決于交變電場(chǎng)電壓、耦合電容和金屬屏蔽層接地電阻的乘積。

屏蔽主要是反射電場(chǎng)，因此屏蔽體的厚度不必太大，結(jié)構(gòu)強(qiáng)度是主要考慮因素。

當(dāng)通過(guò)芯片電感的電流發(fā)生變化時(shí)，芯片電感產(chǎn)生的直流電壓動(dòng)量停止電流變化。當(dāng)通過(guò)電感線(xiàn)圈的電流增大時(shí)，電感線(xiàn)圈產(chǎn)生的自感電動(dòng)勢(shì)隨著電感線(xiàn)圈電流的增大而減小。自感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)和電流方向相同。在防止電流減少的同時(shí)，釋放存儲(chǔ)的能量來(lái)補(bǔ)償電流的減少。交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓取決于交變電場(chǎng)電壓、耦合電容和金屬屏蔽層接地電阻的乘積。

屏蔽主要是反射電場(chǎng)，因此屏蔽體的厚度不必太大，結(jié)構(gòu)強(qiáng)度是主要考慮因素。

當(dāng)通過(guò)芯片電感的電流發(fā)生變化時(shí)，芯片電感產(chǎn)生的直流電壓動(dòng)量停止電流變化。當(dāng)通過(guò)電感線(xiàn)圈的電流增大時(shí)，電感線(xiàn)圈產(chǎn)生的自感電動(dòng)勢(shì)隨著電感線(xiàn)圈電流的增大而減小。自感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)和電流方向相同。在防止電流減少的同時(shí)，釋放存儲(chǔ)的能量來(lái)補(bǔ)償電流的減少。

在流向相反的方向上，在防止電流增大的同時(shí)，將部分電能轉(zhuǎn)化為磁場(chǎng)，儲(chǔ)存在電感濾波器中，不僅減小了負(fù)載電流和電壓的脈動(dòng)，而且平滑了波形，增大了整流二極管的導(dǎo)通角。屏蔽片電感的作用不同于普通片電感的作用。普通的貼片電感在電路中沒(méi)有屏蔽，使用時(shí)，電路中的電感不能達(dá)到預(yù)期的效果。

屏蔽貼片電感在某些電路中可以屏蔽電流的不穩(wěn)定，起到很好的屏蔽作用。在屏蔽體的內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生與帶電導(dǎo)體相等的負(fù)電荷，在屏蔽體的外部會(huì)產(chǎn)生與帶電導(dǎo)體相等的正電荷。如果金屬屏蔽體接地，外面的正電荷就會(huì)流入地球，外面就不會(huì)有電場(chǎng)，即帶正電的導(dǎo)體的電場(chǎng)就會(huì)被屏蔽在金屬屏蔽體內(nèi)。屏蔽電感還起著電路耦合的作用。為了降低交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓，屏蔽芯片電感器可在干擾源與敏感電路之間設(shè)置導(dǎo)電性能良好的金屬屏蔽對(duì)金屬屏蔽進(jìn)行接地。

交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓取決于交變電場(chǎng)電壓、耦合電容和金屬屏蔽層接地電阻的乘積。只要金屬屏蔽層接地良好，交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓就可以做到很小。屏蔽主要是反射電場(chǎng)，因此屏蔽體的厚度不必太大，結(jié)構(gòu)強(qiáng)度是主要考慮因素。