磁珠（Ferritebead）的等效電路是一個(gè)DCR電阻串聯(lián)一個(gè)電感并聯(lián)一個(gè)電容和一個(gè)電阻。DCR是一個(gè)恒定值，但后面三個(gè)元件都是頻率的函數(shù)，也就是說(shuō)它們的感抗，容抗和阻抗會(huì)隨著頻率的變化而變化，當(dāng)然它們阻值，感值和容值都非常小。

　　從等效電路中可以看到，當(dāng)頻率低于fL（LC諧振頻率）時(shí)，磁珠呈現(xiàn)電感特性；當(dāng)頻率等于fL時(shí)，磁珠是一個(gè)純電阻，此時(shí)磁珠的阻抗（impedance）大；當(dāng)頻率高于諧振頻率點(diǎn)fL時(shí)，磁珠則呈現(xiàn)電容特性。

　　EMI選用磁珠的原則就是磁珠的阻抗在EMI噪聲頻率處大。比如如果EMI噪聲的值在200MHz,那你選擇的時(shí)候就要看磁珠的特性曲線(xiàn)，其阻抗值應(yīng)該在200MHz左右。

　　磁珠的峰值點(diǎn)出現(xiàn)在1GHz左右。在峰點(diǎn)時(shí)，阻抗（Z）曲線(xiàn)的值與電阻（R）的相等。也就是說(shuō)這個(gè)磁珠在1GHz時(shí)，是個(gè)純電阻，而且阻抗值大。

　　EMC磁珠到底是什么特性？

　　兩個(gè)不同曲線(xiàn)特征的磁珠A和磁珠B應(yīng)用于信號(hào)線(xiàn)時(shí)的情況。

　　磁珠A和磁珠B的阻抗峰值都在100MHz和200MHz之間，但磁珠A阻抗頻率曲線(xiàn)比較平坦，磁珠B則比較陡峭。

　　我們將兩個(gè)磁珠分別放在如下的20MHz的信號(hào)線(xiàn)上，看看對(duì)信號(hào)輸出會(huì)產(chǎn)生什么樣的影響。

　　從輸出波形來(lái)看，磁珠B的輸出波形失真要明顯小于磁珠A。

　　原因是磁珠B的阻抗頻率波形比較陡峭，其阻抗在200MHz時(shí)較高，只對(duì)200MHz附近的信號(hào)的衰減較大，但對(duì)頻譜很寬的方波波形影響較小。而磁珠A的阻抗頻率特性比較平坦，其對(duì)信號(hào)的衰減頻譜也比較寬，因此對(duì)方波的波形影響也較大。

　　以下三種情況對(duì)應(yīng)的EMI測(cè)試結(jié)果。結(jié)果是磁珠A和磁珠B都會(huì)對(duì)EMI噪聲產(chǎn)生很大的衰減。磁珠A在整個(gè)EMI頻譜范圍內(nèi)的衰減要稍好于磁珠B。

　　因此，在具體選用磁珠時(shí)，阻抗頻率特性平坦型的磁珠A比較適合應(yīng)用于電源線(xiàn)，而頻率特性比較陡峭的磁珠B則較適合應(yīng)用于信號(hào)線(xiàn)。磁珠B在應(yīng)用于信號(hào)線(xiàn)時(shí)，可以在盡量保持信號(hào)完整性的情況下，盡可能只對(duì)EMI頻率附近的噪聲產(chǎn)生最大的衰減。