磁珠（Ferritebead）的等效電路是一個DCR電阻串聯(lián)一個電感并聯(lián)一個電容和一個電阻。DCR是一個恒定值，但后面三個元件都是頻率的函數，也就是說它們的感抗，容抗和阻抗會隨著頻率的變化而變化，當然它們阻值，感值和容值都非常小。

　　從等效電路中可以看到，當頻率低于fL（LC諧振頻率）時，磁珠呈現(xiàn)電感特性；當頻率等于fL時，磁珠是一個純電阻，此時磁珠的阻抗（impedance）大；當頻率高于諧振頻率點fL時，磁珠則呈現(xiàn)電容特性。

　　EMI選用磁珠的原則就是磁珠的阻抗在EMI噪聲頻率處大。比如如果EMI噪聲的值在200MHz,那你選擇的時候就要看磁珠的特性曲線，其阻抗值應該在200MHz左右。

　　磁珠的峰值點出現(xiàn)在1GHz左右。在峰點時，阻抗（Z）曲線的值與電阻（R）的相等。也就是說這個磁珠在1GHz時，是個純電阻，而且阻抗值大。

　　EMC磁珠到底是什么特性？

　　兩個不同曲線特征的磁珠A和磁珠B應用于信號線時的情況。

　　磁珠A和磁珠B的阻抗峰值都在100MHz和200MHz之間，但磁珠A阻抗頻率曲線比較平坦，磁珠B則比較陡峭。

　　我們將兩個磁珠分別放在如下的20MHz的信號線上，看看對信號輸出會產生什么樣的影響。

　　從輸出波形來看，磁珠B的輸出波形失真要明顯小于磁珠A。

　　原因是磁珠B的阻抗頻率波形比較陡峭，其阻抗在200MHz時較高，只對200MHz附近的信號的衰減較大，但對頻譜很寬的方波波形影響較小。而磁珠A的阻抗頻率特性比較平坦，其對信號的衰減頻譜也比較寬，因此對方波的波形影響也較大。

　　以下三種情況對應的EMI測試結果。結果是磁珠A和磁珠B都會對EMI噪聲產生很大的衰減。磁珠A在整個EMI頻譜范圍內的衰減要稍好于磁珠B。

　　因此，在具體選用磁珠時，阻抗頻率特性平坦型的磁珠A比較適合應用于電源線，而頻率特性比較陡峭的磁珠B則較適合應用于信號線。磁珠B在應用于信號線時，可以在盡量保持信號完整性的情況下，盡可能只對EMI頻率附近的噪聲產生最大的衰減。