Y5V電容器是具有一定溫度限制的通用電容器。在-30℃～+85℃范圍內，其容量變化范圍為+22%～-82%，介電損耗可達5%。然而，Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造高達4.7μF的電容。然而，其電容受環(huán)境和工作條件的影響很大，介電損耗可達3%。其填充介質由銣、釤等稀有氧化物組成。X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定陶瓷電容器。X7R電容器主要用于要求較低的工業(yè)應用，當電壓變化時，其容量變化是可以接受的。

Y5V電容器是具有一定溫度限制的通用電容器。在-30℃～+85℃范圍內，其容量變化范圍為+22%～-82%，介電損耗可達5%。然而，Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造高達4.7μF的電容
Z5u電容器被稱為通用陶瓷片式電容器。其主要優(yōu)點是體積小、成本低。在上述三種片式電容器中，z5u電容器在相同體積下的電容量最大。然而，其電容受環(huán)境和工作條件的影響很大，介電損耗可達3%。雖然其容量不穩(wěn)定，但其體積小、等效串聯電感（ESL）和等效串聯電阻（ESR）低、頻率響應好等獨特優(yōu)點使其得到了廣泛的應用，特別是在去耦電路的應用中，NPO電容是最穩(wěn)定的電容和介電損耗。其填充介質由銣、釤等稀有氧化物組成。當溫度從-55℃到+125℃時，電容變化為0±30ppm/℃，電容隨頻率和相對使用壽命的變化很小。在不同的封裝形式下，電容和介質損耗隨頻率的特性也不同。大封裝尺寸NPO電容的頻率特性優(yōu)于小封裝尺寸NPO電容。它適用于振蕩器和諧振器的縫隙電容器，以及高頻電路中的耦合電容器。X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定陶瓷電容器。當溫度為-55℃至+125℃時，容量變化為15%。應注意，此時電容變化是非線性的。在不同的電壓和頻率條件下，X7R電容器的容量不同。它也隨時間變化，但比z5u和Y5V電容器要好得多。X7R電容器主要用于要求較低的工業(yè)應用，當電壓變化時，其容量變化是可以接受的。其主要特點是在同一體積下，電容可以相對較大。