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電容器
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當(dāng)電容較小時(shí),主要取決于電容的表面狀態(tài)

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2016-08-08 17:41:00


  直流電壓加在電容上,并產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.



  當(dāng)電容較小時(shí),主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉0.1uf時(shí),主要取決于介質(zhì)的性能,絕緣電阻越小越好。



  電容的時(shí)間常數(shù):為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù),他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。

 

 

新晨陽(yáng)電容



  損耗



 電容在電場(chǎng)作用下,在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值,電容的損耗主要由介質(zhì)損耗,電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。



  在直流電場(chǎng)的作用下,電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在,一般較小,在交變電場(chǎng)的作用下,電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān),而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。



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