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電容器
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瓷介電容器的分類及相關(guān)特性

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2016-08-09 08:24:00
  瓷介電容器的分類及相關(guān)特性 瓷片之構(gòu)造乃在瓷質(zhì)誘電體及銀電極所構(gòu)成之素子電極上焊接導(dǎo)線而成。
 
  可分為低壓低功率和高壓高功率,在低壓低功率中又可分為I型(CC型)和II型(CT型)。
 
  1、I型(CC型)特點(diǎn)是體積小, 損耗低,電容對(duì)頻率,溫度穩(wěn)定性都較高,常用于高頻電路。
 
  2、II型(CT型)特點(diǎn)是體積小,損耗大,電容對(duì)溫度頻率,穩(wěn)定性都較差,常用于低頻電路。
 

一  CC1型圓片高頻瓷介電容
 
  適用于諧振回路及其他電路做,耦合,隔直使用。損耗:《0.025絕緣電阻:10000mohm 試驗(yàn)電壓:200v
 
允許偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)溫度系數(shù):-150--- -1000PPM/C環(huán)境溫度:-25—85C 相對(duì)濕度:+40C時(shí)達(dá)96%
 

二  CT1型圓形瓷片低頻電容
 
  環(huán)境溫度:-25—85C 相對(duì)濕度:+40C時(shí)達(dá)96%工作電壓50V電容范圍和允差:101—472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)
 
三  CC01圓形瓷片電容
 
  環(huán)境溫度:-25—85C 相對(duì)濕度:+40C時(shí)達(dá)96% 大氣壓力750+-30mmhg允許偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)
 
  1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
 
  56—180P –750(+-250)PPM
 
  180—390P –1300(+-250)PPM
 
  430—820P –3300(+-500)PPM

四  CT01圓形瓷片電容
 
  環(huán)境溫度:-25—85C 相對(duì)濕度:+40C時(shí)達(dá)96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗《0.05
 
  絕緣電阻:1000mohm
 
  允差:+80 -20%容量:1000-47000p
 
  工作電壓:63v 試驗(yàn)電壓:200v
 
五  獨(dú)石瓷介電容器
 
5.1  CC4D獨(dú)石瓷介電容器
 
  環(huán)境溫度:-55—85C 相對(duì)濕度:+40C時(shí)達(dá)98% 大氣壓力666.6PA損耗《15*10(-4)容量:100-100000p工作電壓:40v 試驗(yàn)電壓:120v
 

5.2  CT4D獨(dú)石瓷介電容器
 
  環(huán)境溫度:-55—85C 相對(duì)濕度:+40C時(shí)達(dá)98% 大氣壓力1000PA損耗《0.035容量:0.033-2.2uf工作電壓:40v-100v 試驗(yàn)電壓:3UW允差:+80-20%
 
六  CC2,CT2管形瓷介電容器
 
  與片形瓷介電容相比,機(jī)械強(qiáng)度高,用作旁路時(shí)內(nèi)電極屏蔽性能好,用在高頻電阻雜散耦合好,缺點(diǎn)是固有低,制造工藝復(fù)雜,產(chǎn)量低。
 
CT2 損耗《0.04絕緣電阻<1000mohm 試驗(yàn)電壓:480v
 
  使用條件:-55—85c相對(duì)濕度:40C時(shí)達(dá)98%
 

七  CC10 超高頻瓷介電容
 
  可用于《500MHZ下,環(huán)境溫度:-55—85C 相對(duì)濕度:+40C時(shí)達(dá)98% 壓力33mmhg 震動(dòng)強(qiáng)度:加速度10g 沖擊:加速度25g 離心:加速度15g
 
  允差:k容量:1-47p工作電壓:500v
 
八  CC11,CT11園片無(wú)引線瓷片電容
 
  該電容特為高頻頭設(shè)計(jì),頻率特性好。
 
  CC11直流電壓:250V標(biāo)稱容量:3—39P損耗:《0.0015 絕緣》10000mohm
 
  CT11直流電壓:160V標(biāo)稱容量:240—1500 絕緣》2500mohm
 

九  CT82,CC82高壓高功率瓷片電容
 
  環(huán)境溫度:-25—85C 相對(duì)濕度:+40C時(shí)達(dá)98%大氣 壓力40000PA 震動(dòng):加速度15g 沖擊:加速度15g額定電壓:1—4kv 試驗(yàn)電壓:2.5—8kv允差:K,M
 
十  CC3,CCTD型疊片瓷介電容器CCTF型方形疊片瓷片電容器
 
  CC3損耗《0.0015 容量:33-1000P 允差:K,M 工作電壓:100V
 
  CCTD損耗《0.035 容量:470-33000P 允差:+80-20% 工作電壓:250V
 
  CCTF損耗《0.04 容量:10000-47000P 允差:+80-20% 工作電壓:160V
 
十一  CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介電容
 
  該類電容使用于VHF,UHF調(diào)諧器和其他無(wú)線電設(shè)備中做高低頻旁路濾波用。
 
  CC52E-1C 容量:2-33P工作電壓:63V 絕緣電阻:10000mohm損耗:《0.0015
 
  CC53-2C 容量:1000-1500P工作電壓:160V 絕緣電阻:1000mohm損耗《0.035
 
十二  CT87鼓形高壓低頻瓷介電容器
 
  該電容主要使用于電子設(shè)備的。CC87-1 容量:470P工作電壓:10KV 絕緣電阻:10000mohm
 
 
十三  CCG81型板形高功率瓷介電容
 
  使用于大功率高頻電子設(shè)備中。容量:1000P 工作電壓20KV(高頻15KV) 額定無(wú)功功率:100KVA最大電流:25A 最大重量:1.3KG
 

 


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