單片電容器、陶瓷電容器和陶瓷電容器是常見的電容器元件。單片電容相對穩(wěn)定，溫度漂移系數(shù)小，電容值為1uF，壽命長，等效直流電阻小，價格稍高。片式電容的高頻特性較好，但最大電容值只能為0.1uF。在高穩(wěn)定振蕩電路中，通常用作電路、旁路電容和墊片整流電容。正電容溫度系數(shù)小的電容器用于高穩(wěn)定振蕩電路中作為回路電容器和墊片整平電容器。這種電容器不應(yīng)用于脈沖電路，因為它們很容易被脈沖電壓擊穿。

單片電容器、陶瓷電容器和陶瓷電容器是常見的電容器元件。單片電容相對穩(wěn)定，溫度漂移系數(shù)小，電容值為1uF，壽命長，等效直流電阻小，價格稍高。片式電容的高頻特性較好，但最大電容值只能為0.1uF。

陶瓷電容器也屬于陶瓷電容器的一種，是陶瓷電容器的總稱。陶瓷電容器是以陶瓷材料為介質(zhì)，在陶瓷表面涂上一層金屬膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)制成電極的電容器。在高穩(wěn)定振蕩電路中，通常用作電路、旁路電容和墊片整流電容。正電容溫度系數(shù)小的電容器用于高穩(wěn)定振蕩電路中作為回路電容器和墊片整平電容器。低頻陶瓷介質(zhì)容器僅限于工作在低頻或穩(wěn)定性和損耗要求不高(包括高頻)的電路中的旁路或直流隔離。

這種電容器不應(yīng)用于脈沖電路，因為它們很容易被脈沖電壓擊穿。陶瓷電容器是用高介電常數(shù)的電容器陶瓷(鈦酸鋇氧化鈦)擠壓成管狀，以晶片或圓盤為介質(zhì)，用老化法在陶瓷上鍍銀作為電極制成的。它分為高頻瓷和低頻瓷兩種。正電容溫度系數(shù)小的電容器用于高穩(wěn)定振蕩電路中作為回路電容器和墊片整平電容器。

低頻陶瓷介質(zhì)容器僅限于工作在低頻或穩(wěn)定性和損耗要求不高(包括高頻)的電路中的旁路或直流隔離。這種電容器不應(yīng)用于脈沖電路，因為它們很容易被脈沖電壓擊穿。

摘自：http://www.sznse.com/Article/cpdrytcdrd.html