瓷介電容的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
陶瓷介電電容器是以陶瓷材料為介質(zhì),在陶瓷表面涂覆金屬(銀)膜,然后在高溫下燒結(jié)而成。陶瓷介電電容器分為一種介電,2種介電和3種介電陶瓷介電電容器。第|一類陶瓷介電電容器具有低溫系數(shù)低、穩(wěn)定性好、損耗低、耐壓高等優(yōu)點(diǎn)。大容量不超過1000pF,常用的有CC1,CC2,CC18A,CC11,CCG等系列。第|二類和第三類陶瓷介電電容器的特點(diǎn)是:材料的介電系數(shù)高,容量大,體積小,損耗和絕緣性能較差。第|一類電容器主要用于高頻電路。
陶瓷介電電容器是以陶瓷材料為介質(zhì),在陶瓷表面涂覆金屬(銀)膜,然后在高溫下燒結(jié)而成。陶瓷介電電容器分為一種介電,2種介電和3種介電陶瓷介電電容器。第|一類陶瓷介電電容器具有低溫系數(shù)低、穩(wěn)定性好、損耗低、耐壓高等優(yōu)點(diǎn)。大容量不超過1000pF,常用的有CC1,CC2,CC18A,CC11,CCG等系列。第|二類和第三類陶瓷介電電容器的特點(diǎn)是:材料的介電系數(shù)高,容量大,體積小,損耗和絕緣性能較差。第|一類電容器主要用于高頻電路。
陶瓷介電電容器(CC)是以陶瓷材料為介質(zhì),在陶瓷表面涂覆金屬(銀)膜,然后在高溫下燒結(jié)而成。陶瓷介電電容器分為一種介電(NPO,CCG),2種介電(X7R,2x1)和3種介電(Y5V,2F4)陶瓷介電電容器。第|一類陶瓷介電電容器具有低溫系數(shù)低、穩(wěn)定性好、損耗低、耐壓高等優(yōu)點(diǎn)。大容量不超過1000pF,常用的有CC1,CC2,CC18A,CC11,CCG等系列。第|二類和第三類陶瓷介電電容器的特點(diǎn)是:材料的介電系數(shù)高,容量大(可達(dá)0.47μF),體積小,損耗和絕緣性能較差。
第|一類電容器主要用于高頻電路。2、這三類電容器廣泛應(yīng)用于中低頻電路中,如隔離、耦合、旁路和濾波等。目前常用的系列有三種,如CT1、CT2、CT3等。
聚酯電容器(CL)是由具有正溫度系數(shù)(即隨著溫度升高,電容增|大)的極性聚酯薄膜制成的非極性電容器。耐高溫、耐高壓、耐潮濕、價|格低廉。一般用于中低頻電路。常用型號為CL11、CL21等系列。
聚苯乙烯電容器(CB)有兩種類型:箔型和金屬化型,箔絕緣電阻大,介損小,容量穩(wěn)定,精度高,但體積大,熱阻差,金屬化防潮穩(wěn)定性優(yōu)于箔型,擊穿后可自愈|合,但絕緣電阻低,高頻特性差,廣泛應(yīng)用于中高頻電路中。
常用的型號有CB10、CB11(未密封箔)、CB14~16(精度)、CB24、CB25(未密封金屬化)、CB80(高壓)、CB40(密封金屬化)等。
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