在陶瓷材料中，鐵電陶瓷具有高介電常數(shù)，通常用于制備陶瓷電容器常見的鐵電陶瓷多屬于鈣鈦礦結構，如鈦酸鋇陶瓷及其固溶體，也有鎢青銅型、含鉍層狀化合物和燒綠石型結構。但是，用鐵電陶瓷制作普通鐵電陶瓷電容器時，很難把陶瓷介質做得很薄。首先，鐵電陶瓷薄時容易破碎，難以進行實際生產(chǎn)操作其次，當陶瓷介質較薄時，容易造成各種結構缺陷，使得制作工藝非常困難。

表面型半導體陶瓷電容器是指將瓷磚坯體半導化，將其表面再氧化形成薄介質層，然后在瓷磚兩面燒電極而形成的電容器。通常，在半導體陶瓷例如BaTiO3的表面上形成的薄絕緣層被用作電介質層，并且半導體陶瓷本身可以被視為電介質的串聯(lián)電路。表層陶瓷電容器的絕緣表層厚度根據(jù)不同的形成方法從0波動.01～100 μm。這既利用了鐵電陶瓷的高介電常數(shù)，又有效地減小了介質層的厚度，是制備微型陶瓷電容器的有效方案。

晶界層型半導體陶瓷電容器通過沿半導體陶瓷體的晶界形成絕緣層，然后燒結陶瓷芯片兩側的電極，從而形成多個串來形成、并聯(lián)的電容器網(wǎng)。

通常情況下，晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導體陶瓷表面會包覆一層適當?shù)慕饘傺趸铮ɡ鏑uO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）在適當?shù)臏囟群脱趸瘲l件下熱處理后，涂層氧化物將與BaTiO3 3形成低共溶相，它將沿著開放的孔隙和晶界迅速擴散和滲透到陶瓷中，并在晶界上形成薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層具有高電阻率（高達1012 ~ 1013ω·cm）雖然陶瓷的顆粒仍然是半導體，但整個陶瓷體表現(xiàn)為具有高表觀介電常數(shù)的絕緣體介質。由這種陶瓷制成的電容器稱為晶界層陶瓷電容器（Boundary glass ceramic capacitor）簡稱BL電容。