對(duì)應(yīng)于壓敏電阻電壓的電流稱為測(cè)試電流，通常指定為DC1mA。壓敏電阻流過(guò)規(guī)定電流時(shí)產(chǎn)生的直流電壓降與壓敏電阻電壓之比稱為電壓比。在規(guī)定的溫度范圍和脈沖電流條件之下，當(dāng)壓敏電阻器之內(nèi)的溫度變化1℃時(shí)，電壓的相對(duì)變化百分比稱為電壓溫度系數(shù)。脈沖電流從極大值的90%到極大值需要8μs。峰值持續(xù)時(shí)間為20分鐘μs。工作電壓通常為擊穿電壓的一半。它的主要特征參數(shù)是擊穿電壓Ub、剩余電壓比η和承受損失能量W。

對(duì)應(yīng)于壓敏電阻電壓的電流稱為測(cè)試電流，通常指定為DC1mA。壓敏電阻流過(guò)規(guī)定電流時(shí)產(chǎn)生的直流電壓降與壓敏電阻電壓之比稱為電壓比。在規(guī)定的溫度范圍和脈沖電流條件之下，當(dāng)壓敏電阻器之內(nèi)的溫度變化1℃時(shí)，電壓的相對(duì)變化百分比稱為電壓溫度系數(shù)。

按規(guī)定的時(shí)間間隔和次數(shù)對(duì)壓敏電阻施加規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電流波形沖擊之后，當(dāng)壓敏電阻器的電壓變化率小于或等于技術(shù)條件之中規(guī)定的值時(shí)，所通過(guò)的大電流值稱為浪涌電流容量，簡(jiǎn)稱磁通量。在規(guī)定的時(shí)間（8μs/20μs）之內(nèi)，允許脈沖電流的極大值。脈沖電流從極大值的90%到極大值需要8μs。峰值持續(xù)時(shí)間為20分鐘μs。沖擊試驗(yàn)左右壓敏電阻器電壓的相對(duì)變化百分比，稱為電壓變化率。當(dāng)元件兩側(cè)的電壓等于規(guī)定電流兩側(cè)電壓的75%時(shí)，通過(guò)壓敏電阻的直流電流稱為漏電流。壓敏電阻器在規(guī)定的環(huán)境溫度之下的負(fù)載功率稱為額定功率。壓敏電阻器兩側(cè)存儲(chǔ)的電荷與施加在壓敏電阻器兩側(cè)的電壓之比。

對(duì)應(yīng)于壓敏電阻電壓的電流稱為測(cè)試電流，通常指定為DC1mA。壓敏電阻流過(guò)規(guī)定電流時(shí)產(chǎn)生的直流電壓降與壓敏電阻電壓之比稱為電壓比。在規(guī)定的溫度范圍和脈沖電流條件之下，當(dāng)壓敏電阻器之內(nèi)的溫度變化1℃時(shí)，電壓的相對(duì)變化百分比稱為電壓溫度系數(shù)。脈沖電流從極大值的90%到極大值需要8μs。峰值持續(xù)時(shí)間為20分鐘μs。工作電壓通常為擊穿電壓的一半。它的主要特征參數(shù)是擊穿電壓Ub、剩余電壓比η和承受損失能量W。

對(duì)應(yīng)于壓敏電阻電壓的電流稱為測(cè)試電流，通常指定為DC1mA。壓敏電阻流過(guò)規(guī)定電流時(shí)產(chǎn)生的直流電壓降與壓敏電阻電壓之比稱為電壓比。在規(guī)定的溫度范圍和脈沖電流條件之下，當(dāng)壓敏電阻器之內(nèi)的溫度變化1℃時(shí)，電壓的相對(duì)變化百分比稱為電壓溫度系數(shù)。

按規(guī)定的時(shí)間間隔和次數(shù)對(duì)壓敏電阻施加規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電流波形沖擊之后，當(dāng)壓敏電阻器的電壓變化率小于或等于技術(shù)條件之中規(guī)定的值時(shí)，所通過(guò)的大電流值稱為浪涌電流容量，簡(jiǎn)稱磁通量。在規(guī)定的時(shí)間（8μs/20μs）之內(nèi)，允許脈沖電流的極大值。脈沖電流從極大值的90%到極大值需要8μs。峰值持續(xù)時(shí)間為20分鐘μs。沖擊試驗(yàn)左右壓敏電阻器電壓的相對(duì)變化百分比，稱為電壓變化率。當(dāng)元件兩側(cè)的電壓等于規(guī)定電流兩側(cè)電壓的75%時(shí)，通過(guò)壓敏電阻的直流電流稱為漏電流。壓敏電阻器在規(guī)定的環(huán)境溫度之下的負(fù)載功率稱為額定功率。壓敏電阻器兩側(cè)存儲(chǔ)的電荷與施加在壓敏電阻器兩側(cè)的電壓之比。

壓敏電阻器不是一般意義之上的電阻器。它由一層隔離金屬氧化物（如氧化鋅）顆粒的絕緣膜組成，國(guó)外稱為mov（金屬氧化物壓敏電阻器）。在低電壓之下，電阻大，漏電流小。當(dāng)電壓升高時(shí)，壓敏電阻器中的絕緣膜變成導(dǎo)體，電壓略有升高，電流急劇增大，與齊納管的擊穿特性相似，能承受較大的瞬時(shí)功率。

壓敏電阻通常并聯(lián)在開(kāi)關(guān)電源適配器輸入端的火線與火線間、火線與中性線間，電感器件的端部作為浪涌和峰值電壓吸收元件。工作電壓通常為擊穿電壓的一半。它的主要特征參數(shù)是擊穿電壓Ub、剩余電壓比η和承受損失能量W。