諧振頻率與去耦阻抗的電容
電容的阻抗與諧振頻率與去耦。電容去耦原理,電容在頻率升高到諧振點之前,隨著頻率升高,阻抗降低,這就給高頻噪聲提供了一個低阻抗的泄放途徑,剩下的低頻能量就不足以發(fā)射出去了。而且在實際使用中引線電感及過孔的存在會進一步降低諧振點,這使得再小的電容,實際的去耦頻率也不會超過300MhZ。
電容的阻抗與諧振頻率與去耦
1)常用電容:0.1uF和0.01uF電容是當今高速電路中常用的去耦電容。一般來說SMT的電容的自諧振點不會超過500MhZ,而0.01uF電容的自諧振點在50-150MhZ之間;而且在實際使用中引線電感及過孔的存在會進一步降低諧振點,這使得再小的電容,實際的去耦頻率也不會超過300MhZ。
2)電容并聯(lián):相同容值的電容并聯(lián),引線電感和寄生電感會因為并聯(lián)而減小,使得整體阻抗減小,這樣有利于提高去耦頻率,同時,電容并聯(lián)也能提供更多的能量。
3)電容去耦原理:電容在頻率升高到諧振點之前,隨著頻率升高,阻抗降低,這就給高頻噪聲提供了一個低阻抗的泄放途徑,剩下的低頻能量就不足以發(fā)射出去了。
4)去耦電容的選擇:去耦電容不要什么都用0.1uF,要考慮去耦器件的工作頻率和諧波。工作主頻20Mhz以下的,用0.1uF,20Mhz以上的用0.01uF,甚至更小的,并與0.1uF并聯(lián)使用。
5)電源層與地層構成電容:在多層PCB中,依賴電源層和地層形成的板間電容,有著較低的ESL,這也是高頻去耦的重要手段。
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