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電容器
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現(xiàn)在高速高密度已成為電子產(chǎn)品的重要發(fā)展趨勢(shì)之一

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2016-11-23 17:11:00


  現(xiàn)在高速高密度已成為電子產(chǎn)品的重要發(fā)展趨勢(shì)之一。

  與傳統(tǒng)的PCB設(shè)計(jì)相比,高速高密度PCB設(shè)計(jì)面臨不少新挑戰(zhàn),對(duì)所使用的電容器提出很多新要求,很多傳統(tǒng)的電容器已不能用于高速高密度PCB。

  本文結(jié)合高速高密度PCB的基本特點(diǎn),分析了電容器在高頻應(yīng)用時(shí)主要寄生參數(shù)及其影響,指出了需要糾正或放棄的一些傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)或做法,總結(jié)了適用于高速高密度PCB的電容器的基本特點(diǎn),介紹了適用于高速高密度PCB的電容器的若干新進(jìn)展。

 

新晨陽(yáng)電容

 


  大量的理論研究和實(shí)踐都表明,高速電路必須按高頻電路來(lái)設(shè)計(jì)。對(duì)高速高密度PCB中使用的電容器,基本要求是高頻性能好和占用空間小。

  實(shí)際電容器都有寄生參數(shù)。對(duì)高速高密度PCB中使用的電容器,寄生參數(shù)的影響尤為重要,很多考慮都是從減小寄生參數(shù)的影響出發(fā)的。

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