般來(lái)說(shuō)，音頻控制器和分頻器之中使用的電容器都是高頻陶瓷電容器，因?yàn)樗鼈兊娜萘勘容^大，采用金屬—塑料薄膜可以獲得更好的音質(zhì)。其次，在濾波電容器之中，其容量特性決定了使用電解電容器的效果會(huì)更好，但使用過(guò)程之中要注意抑制高頻阻抗的上升。因此，在識(shí)別陶瓷片式電容器的規(guī)格時(shí)，可以通過(guò)判斷電路的電壓和特性來(lái)快速識(shí)別陶瓷片式電容器，在識(shí)別時(shí)也可以參考電阻器規(guī)格的識(shí)別方法。

般來(lái)說(shuō)，音頻控制器和分頻器之中使用的電容器都是高頻陶瓷電容器，因?yàn)樗鼈兊娜萘勘容^大，采用金屬—塑料薄膜可以獲得更好的音質(zhì)。其次，在濾波電容器之中，其容量特性決定了使用電解電容器的效果會(huì)更好，但使用過(guò)程之中要注意抑制高頻阻抗的上升。因此，在識(shí)別陶瓷片式電容器的規(guī)格時(shí)，可以通過(guò)判斷電路的電壓和特性來(lái)快速識(shí)別陶瓷片式電容器，在識(shí)別時(shí)也可以參考電阻器規(guī)格的識(shí)別方法。

般來(lái)說(shuō)，音頻控制器和分頻器之中使用的電容器都是高頻陶瓷電容器，因?yàn)樗鼈兊娜萘勘容^大，采用金屬—塑料薄膜可以獲得更好的音質(zhì)。其次，在濾波電容器之中，其容量特性決定了使用電解電容器的效果會(huì)更好，但使用過(guò)程之中要注意抑制高頻阻抗的上升。因此，在識(shí)別陶瓷片式電容器的規(guī)格時(shí)，可以通過(guò)判斷電路的電壓和特性來(lái)快速識(shí)別陶瓷片式電容器，在識(shí)別時(shí)也可以參考電阻器規(guī)格的識(shí)別方法。

般來(lái)說(shuō)，音頻控制器和分頻器之中使用的電容器都是高頻陶瓷電容器，因?yàn)樗鼈兊娜萘勘容^大，采用金屬—塑料薄膜可以獲得更好的音質(zhì)。其次，在濾波電容器之中，其容量特性決定了使用電解電容器的效果會(huì)更好，但使用過(guò)程之中要注意抑制高頻阻抗的上升。因此，在識(shí)別陶瓷片式電容器的規(guī)格時(shí)，可以通過(guò)判斷電路的電壓和特性來(lái)快速識(shí)別陶瓷片式電容器，在識(shí)別時(shí)也可以參考電阻器規(guī)格的識(shí)別方法。

瓷電容器的讀數(shù)方法與電阻法的讀數(shù)方法基本相同。讀方法有三種：分色法、數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)法和直接標(biāo)記法。瓷電容器的基本單位是法拉（F），其他單位有：毫米波其中1法拉=1000納米法（MF），1毫米波=1000微米法（μF），1微米=1000納米法（NF），1納米法=1000納米法（PF），1納米法=1000納米法（PF），1納米法=1000皮膚（PF）。

大容量陶瓷芯片的電容直接標(biāo)注在電容之上，如10μF/16V。

小容量陶瓷電容器在電容器之上用字母或數(shù)字表示。

字母表示：2m=2000μF，1P2o1.2PF，2n2000PF

數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱(chēng)為電容的數(shù)字表示法。三位數(shù)的后兩位是標(biāo)稱(chēng)容量的有效數(shù)字，第三位代表有效數(shù)字之后零的個(gè)數(shù)，均為PF。

例如，211表示額定容量為210pF。

如何讀取陶瓷芯片的電容。

額定容量為21x10（4）PF。

這種表示法有一種特殊情況，即第三個(gè)數(shù)字用“9”表示時(shí)，容量用一個(gè)有效數(shù)乘以10的—1次方來(lái)表示。例如，219是指示器容量21x（10-1）pf=2.1pf。

陶瓷電容器的優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及功能。

陶瓷電容器的優(yōu)點(diǎn)：容量損耗大，溫度穩(wěn)定，頻率穩(wěn)定。適用于高可靠性、高電流爬升率的高壓長(zhǎng)期工作，適用于大電流回路的無(wú)意義結(jié)構(gòu)。缺點(diǎn)是容量比較小。

陶瓷電容器常用于音頻和高頻電子電路之中。常見(jiàn)的陶瓷電容器容量很小，一般從幾個(gè)PF到幾個(gè)UF。它們與其他類(lèi)型的電容器本質(zhì)之上是相同的。陶瓷電容器具有更好的高頻特性，通常在電路之中執(zhí)行耦合、濾波、藕合和振蕩等功能。