片式電阻器升級換代加速 薄膜精密電阻前景看好
電子信息技術(shù)的高速發(fā)展,推動著片式電阻器進入到一個迅速升級換代的時期,薄膜精密電阻前景看好。 想要知道更多的薄膜精密電阻詳情,請參考
就片式電阻器的發(fā)展方向來講,主要有以下幾個:超小型化、綠色環(huán)?;?、高精度化、低溫度系數(shù)化以及賤金屬化。
表面安裝技術(shù)(SMT)是上世紀(jì)70年代末,在國際上發(fā)展起來的一種新型電子產(chǎn)品安裝技術(shù)。目前已在多類電子產(chǎn)品中獲得廣泛應(yīng)用,并使電子產(chǎn)品安裝技術(shù)發(fā)生了革命性的變化。配合表面安裝技術(shù),片式元件的發(fā)展也是日新月異,而片式元件也是電子元件發(fā)展的主流和方向,目前各類電子元件的片式化率已達70%以上。在各類整機電路中,片式元件和半導(dǎo)體有源器件的數(shù)量比例通常在20∶1至50∶1,其中一些高端電子產(chǎn)品,如手機、筆記本電腦、PDA(掌上電腦)等當(dāng)中,片式元件的比例更高,有時可達到100∶1。
表面安裝技術(shù)的電子元器件包括片式電阻器、片式電容器、片式電感器、片式半導(dǎo)體器件,以及其他片式產(chǎn)品。其中片式電阻器的需求量最大,占整個片式元器件的45%以上。而全球片式電阻器的年需求量則超過了1萬億只。
厚膜片式電阻器向3方面發(fā)展
厚膜片式電阻器是相對金屬膜電阻器而言,電阻膜層比較厚,厚度一般為4μm~8μm,制造工藝與傳統(tǒng)的柱狀帶引線電阻器相比,采用了全新的制造工藝。片式電阻器通常是采用以96%Al2O3的陶瓷基板作為散熱基材、Ag-Pd作為導(dǎo)體材料、釕及釕的氧化物作為電阻體材料、玻璃釉作為包封材料、端頭電鍍鎳錫等。通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)、燒結(jié)技術(shù)、激光調(diào)阻技術(shù)、裂片技術(shù)、端頭涂銀技術(shù)、折粒技術(shù)、電鍍技術(shù)等30多道生產(chǎn)和檢驗工序精心制造而成。
厚膜片式電阻器的主要發(fā)展方向有:
超小型化。目前,0402和0603尺寸的片式電阻器已成為市場的主流,但隨著電子產(chǎn)品尤其是數(shù)碼產(chǎn)品的小型化、輕型化,0201、01005產(chǎn)品的需求日益增加,尤其是01005,該產(chǎn)品的體積只有0.4毫米(長)×0.2毫米(寬)×0.125毫米(高),重量只有0.04克,目前只有少數(shù)日企和我國臺灣企業(yè)能夠生產(chǎn),為了解決如01005這種小尺寸產(chǎn)品的生產(chǎn),就必須在傳統(tǒng)的制造工藝上進行升級換代,如絲網(wǎng)印刷技術(shù)必須采用先進的CCD(電耦合器件)自動對位印刷技術(shù),端涂必須采用近幾年發(fā)展起來的濺射技術(shù)解決端面問題,激光調(diào)阻、電鍍也都必須采用最新的專用設(shè)備才能保證0201、01005產(chǎn)品的批量生產(chǎn)供貨。
綠色環(huán)?;?。歐盟“電子電氣設(shè)備廢棄物法令”(WEEE)和“關(guān)于在電子電氣設(shè)備中禁止某些有害物質(zhì)”的規(guī)定(RoHS)已經(jīng)在2005年8月和2006年7月1日生效,其影響在全球性范圍內(nèi)顯現(xiàn)。雖然片式元件的玻璃釉膜屬于豁免范圍,但是盡量減少玻璃釉漿料的使用對企業(yè)來講是既能減少非環(huán)保材料的使用,也是節(jié)省開支降低能耗的一個好辦法,端面濺射賤金屬、包封料采用聚合物樹脂等方法目前也已經(jīng)開始逐步推廣使用。據(jù)統(tǒng)計,端面濺射賤金屬能夠使產(chǎn)品端涂的原材料成本降低90%以上。而聚合物樹脂的使用不僅使原材料成本降低,同時還能大幅提高產(chǎn)品的阻值合格率。
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