晶界層陶瓷電容器是在晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面涂覆適當(dāng)?shù)慕饘傺趸锊⒃谶m當(dāng)?shù)臏囟认略谘趸瘲l件下進(jìn)行熱處理。涂層氧化物將與鈦酸鋇形成低共晶相，并沿開(kāi)孔和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷中，在界面上形成一層薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層的電阻率很高。盡管陶瓷顆粒仍然是半導(dǎo)體，但整個(gè)陶瓷體是一個(gè)表觀介電常數(shù)為2×104到8×104的絕緣體。用這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器。

晶界層陶瓷電容器是在晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面涂覆適當(dāng)?shù)慕饘傺趸铮ㄈ鏑uO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）并在適當(dāng)?shù)臏囟认略谘趸瘲l件下進(jìn)行熱處理。涂層氧化物將與鈦酸鋇形成低共晶相，并沿開(kāi)孔和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷中，在界面上形成一層薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層的電阻率很高（高達(dá)1012-1013Ω·cm）。盡管陶瓷顆粒仍然是半導(dǎo)體，但整個(gè)陶瓷體是一個(gè)表觀介電常數(shù)為2×104到8×104的絕緣體。用這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器（BL電容器）。
高壓陶瓷電容器用陶瓷材料有兩種：鈦酸鋇基和鈦酸鍶基。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓性能好等優(yōu)點(diǎn)，但也存在電容隨介質(zhì)溫度升高而變化率大、絕緣電阻降低等缺點(diǎn)。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃。室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它是順電的，沒(méi)有自發(fā)極化。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷的介電系數(shù)、TGδ和電容變化不大。這些優(yōu)點(diǎn)使得它非常適合作為高壓電容器介質(zhì)。
多層陶瓷電容器是應(yīng)用最廣泛的芯片元件之一。它是片式單片電容器，由內(nèi)電極材料和陶瓷體多層交替并聯(lián)組成，整體燒制而成。它具有體積小、比電容高、精度高等特點(diǎn)。它可以安裝在印刷電路板（PCB）和混合集成電路（HIC）基板上，有效降低電子信號(hào)，提高終端產(chǎn)品（特別是便攜式產(chǎn)品）的體積和重量，提高產(chǎn)品的可靠性。