獨(dú)石電容的擊穿電壓是怎么一回事?
獨(dú)石電容器是多層陶瓷電容器的別稱,簡稱MLCC,廣泛應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。
簡單的平行板電容器的基本結(jié)構(gòu)是由一個絕緣的中間介質(zhì)層加外兩個導(dǎo)電的金屬電極。多層片式陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)主要包括三大部分:陶瓷介質(zhì),金屬內(nèi)電極,金屬外電極。而多層片式陶瓷電容器它是一個多層疊合的結(jié)構(gòu),簡單地說它是由多個簡單平行板電容器的并聯(lián)體。
它電容量大,穩(wěn)定,體積小,耐高溫耐濕性好,溫漂系數(shù)小,高頻特性好等,獨(dú)石電容器不僅可替代云母電容器和紙介電容器,還取代了某些鉭電容器。獨(dú)石電容的缺點(diǎn)是溫度系數(shù)很低,相比瓷片電容價格高。
使充電后的軸向獨(dú)石電容器失去電荷(釋放電荷和電能)的過程稱為放電。例如,用一根導(dǎo)線把獨(dú)石電容器的兩極接通,兩極上的電荷互相中和,獨(dú)石電容器就會放出電荷和電能。放電后獨(dú)石電容器的兩極板之間的電場消失,電能轉(zhuǎn)化為其它形式的能。獨(dú)石電容器的介電強(qiáng)度是獨(dú)石電容器中非常盆要的指標(biāo),對介電強(qiáng)度的評價,常采用三個電壓參數(shù),即擊穿電壓、試驗(yàn)電壓和傾定工作電壓。
擊穿電壓U,當(dāng)施加在獨(dú)石電容器上的電壓達(dá)到某一數(shù)值時,流過獨(dú)石電容器中的翻導(dǎo)電流猛增,獨(dú)石電容器。原來的基本不導(dǎo)電變成導(dǎo)電,這種現(xiàn)象稱為獨(dú)石電容器的擊穿。此時的電壓稱為獨(dú)石電容器的擊穿電壓,用符號U,表示。相應(yīng)的電場張度稱為獨(dú)石電容器的擊穿場強(qiáng),用S表示。由于施加擊穿電壓時,獨(dú)石電容器必然要遭到破壞,所以在工廠中不做這樣的電壓側(cè)試,只在做例行試驗(yàn)時,才對數(shù)盈不大的抽檢樣品進(jìn)行這種側(cè)試。不同的獨(dú)石電容器有不簡的擊穿電壓,一般地說,對同材料、間工藝制造出的同種獨(dú)石電容器,應(yīng)有相同的擊穿電壓。但在實(shí)際中,由于材料、工藝不可避免地存在著一定的分徽性,因而獨(dú)石電容器的擊穿電壓致值也有一定的分散性。為此,在表征各種獨(dú)石電容器的有關(guān)這方面質(zhì)量時,常采用獨(dú)石電容器擊穿電壓的算術(shù)平均值,即用獨(dú)石電容器的平均擊穿電壓U來表示。
推薦產(chǎn)品
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風(fēng)華非屏蔽功率電感擁有超薄、大電流、屏蔽結(jié)構(gòu)等特征,適合于表面貼裝回流焊等。多數(shù)應(yīng)用在移動通信,筆記本電腦,LCD電視,錄像機(jī),DC/DC轉(zhuǎn)換。
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0603 0805 1206特征:由于SBD的反向勢壘較薄,所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結(jié)二極管大。應(yīng)用:SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流。
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