電容特性參數(shù)
電容是我們電子電路設(shè)計(jì)中最常用的元件之一,尤其是電源不能脫離電容的選擇。在電容等效模型中,理想電容的阻抗隨頻率的增加而變小,但實(shí)際電容存在ESR和ESL,其阻抗在一定頻率下會(huì)發(fā)生變化,而阻抗則隨著頻率的增加而增大。由于ESL和ESR的存在,實(shí)際電容由于電容和ESR的存在而呈現(xiàn)低頻電容和高頻靈敏度。根據(jù)美國(guó)電工協(xié)會(huì)的環(huán)境影響評(píng)估標(biāo)準(zhǔn),將MLCC的不同介電材料的穩(wěn)定性分為三類:超穩(wěn)定COG或NPO;穩(wěn)定X7R;可用Y5V。
電容是我們電子電路設(shè)計(jì)中最常用的元件之一,尤其是電源不能脫離電容的選擇。
直流的偏壓特性是一個(gè)非常重要的參數(shù),它意味著電容值會(huì)隨著兩端有效電壓的增加而減小。換句話說(shuō),有效電壓越高,有效容量就越低。如果在設(shè)計(jì)中不考慮偏壓特性,電容器很容易失效,或者性能不符合標(biāo)準(zhǔn)!
在電容等效模型中,理想電容的阻抗隨頻率的增加而變小,但實(shí)際電容存在ESR和ESL(等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感),其阻抗在一定頻率下會(huì)發(fā)生變化,而阻抗則隨著頻率的增加而增大。
由于ESL和ESR的存在,實(shí)際電容由于電容和ESR的存在而呈現(xiàn)低頻電容和高頻靈敏度。在轉(zhuǎn)折點(diǎn)時(shí),電容的容量與感性電抗是相等的。我們通常說(shuō)小電容的高頻特性是好的,這意味著這個(gè)頻率點(diǎn)更好,這也是一個(gè)非常重要的參數(shù)!
交流特性,電容的有效值也會(huì)隨交流電壓的頻率而變化,但變化程度不如直流特性大。
S參數(shù),S參數(shù)在一般電路設(shè)計(jì)中很少使用,S參數(shù)在PDN仿真中起著重要作用。需要注意的是,電容器具有串聯(lián)直流隔離和并聯(lián)旁路兩種功能,因此在仿真中不要弄錯(cuò)。
X5R,X7R,Y5V,COG參數(shù)描述電容器使用的介電材料類型、溫度特性和誤差,這是一種電容穩(wěn)定性的性能。例如,5R指-55℃~+85℃,溫度變化為±15%。
根據(jù)美國(guó)電工協(xié)會(huì)的環(huán)境影響評(píng)估標(biāo)準(zhǔn),將MLCC的不同介電材料的穩(wěn)定性分為三類:超穩(wěn)定COG或NPO;穩(wěn)定X7R;可用Y5V。
推薦產(chǎn)品
- 穩(wěn)壓二極管
0603 0805 1206特征:在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí),反向電阻很大,反向漏電流極小。應(yīng)用:廣泛應(yīng)用于典型的串聯(lián)型穩(wěn)壓電路、電視機(jī)里的過(guò)壓保護(hù)電路和電弧抑制電路。
- 通用型Y5V片容
通用型Y5V片容屬于Ⅱ類低頻電容器,其電容量受溫度、電壓、時(shí)間變化大
- 合金電阻
合金電阻最高功率可達(dá)2W,最低TCR為±50ppm,適用于作電流探測(cè)用電阻器,如電源電路,發(fā)動(dòng)機(jī)用電路等,機(jī)械強(qiáng)度高,高頻特性優(yōu)越,產(chǎn)品符合ROHS指令以及無(wú)鹵素要求
- CT1圓片瓷介電容器
用于電路的損耗值和體積穩(wěn)定性,如低頻,旁路,耦合,裝配,去耦等組件的時(shí)間常數(shù).
- 繞線型功率電感
繞線型片式鐵氧體電感體積小,適合高密度表面貼裝;采用端電極結(jié)構(gòu),很好的抑制了引線產(chǎn)生的寄生元件效應(yīng),具有高可靠性的特點(diǎn)
- 通用型COG片容
通用型COG片容屬于I類高頻電容器,其電容量非常穩(wěn)定,幾乎不隨溫度、電壓和時(shí)間的變化而變化,尤其適用于高頻電子線路。
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