電容器應用時須注意電暈的影響

文章出處：作者：人氣：-發(fā)表時間：2017-03-14 17:38:00

電容器應用在高壓場合時，必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質/電極層之間存在空隙而產(chǎn)生的，它除了可以產(chǎn)生損壞設備的寄生信號外，還會導致電容器介質擊穿。

在交流或脈動條件下，電暈特別容易發(fā)生。對于所有的電容器，在使用中應保證直流電壓與交流峰值電壓之和不的超過直流電壓額定值。

損耗角正切(tanδ)：在規(guī)定頻率的正弦電壓下，電容器的損耗功率除以電容器的無功功率。

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這里需要解釋一下，在實際應用中，電容器并不是一個純電容，其內部還有等效電阻，它的簡化等效電路如下圖所示。

電容器的溫度特性：通常是以20℃基準溫度的電容量與有關溫度的電容量的百分比表示。

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特征：由于SBD的反向勢壘較薄，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管大。
應用：SBD的結構及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流。