本文主要介紹了瓷介電容的識(shí)別方法，本文字?jǐn)?shù)685字，閱讀全文需7分鐘。

瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。

瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。

優(yōu)點(diǎn)：穩(wěn)定，絕緣性好，耐高壓，缺點(diǎn)：容量比較小。

瓷片電容的識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，常用單位還有：微法 (μF）、納法(nF)、皮法(pF)。其中：1μF=1000nF，1nF=1000pF。容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如10μF/16V，容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示。

字母表示法：1μF=1000nF，1P2=1.2pF ，1nF=1000pF 。

數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱(chēng)電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱(chēng)容量的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù)，它們的單位都是pF。

如：101表示標(biāo)稱(chēng)容量為100pF。（前兩位數(shù)字為有效數(shù)字，第三位數(shù)字是零的個(gè)數(shù)。）

222表示標(biāo)稱(chēng)容量為2200pF（2.2nF）。225表示標(biāo)稱(chēng)容量為2200nF（2.2μF）

在這種表示法中有一個(gè)特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時(shí)，是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來(lái)表示容量大小。

如：229表示標(biāo)稱(chēng)容量為22x(10-1)pF=2.2pF。

常見(jiàn)誤差±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。

例如：一瓷片電容為105J表示容量為1μF、誤差為±5%。

文章來(lái)源：深圳新晨陽(yáng)電子

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