瓷片電容電磁兼容設(shè)計(jì)的誤區(qū)分析
瓷片電容電磁兼容的問題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下，個(gè)別問題（電壓跌落與瞬時(shí)中斷等）除外。
高頻思維，總而言之，就是器件的特性、電路的特性，在高頻情況下和常規(guī)中低頻狀態(tài)下是不一樣的。
如果仍然按照普通的控制思維來判斷分析，則會走入設(shè)計(jì)的誤區(qū)。比如：
瓷片電容在中低頻或直流情況下，就是一個(gè)儲能組件，只表現(xiàn)為一個(gè)電容的特性，但在高頻情況下，它就不僅僅是個(gè)電容了。
它有一個(gè)理想電容的特性，有漏電流（在高頻等效電路上表現(xiàn)為R），有引線電感，還在導(dǎo)致電壓脈沖波動(dòng)情況下發(fā)熱的ESR。
瓷片電容能幫我們設(shè)計(jì)師得出很多有益的設(shè)計(jì)思路。第一，按照常規(guī)思路，1/2πfc是電容的容抗，應(yīng)該是頻率越高，容抗越小，濾波效果越好。
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