按工藝不同，可分為薄膜電阻器和厚膜電阻器。它們都是在絕緣材料表面以一定的方式貼上一定電阻率的材料制成的。薄膜電阻器，薄膜厚度小于10μm，其中大部分小于1μm?？梢赃_(dá)到0.01（％）或0.1（％）的精度。能實(shí)現(xiàn)很低的溫度系數(shù)，因此電阻值的溫度變化很小，最小溫度系數(shù)可達(dá)5ppm。厚膜電阻的膜厚一般大于10μm。10（百分比）、5（百分比）、1（百分比）、0.5（百分比）為一般精確度。溫度系數(shù)很難控制，一般都很大。由于其低的溫度系數(shù)和低的電壓系數(shù)，是應(yīng)用最廣泛的電阻器。

片式電阻器是金屬膜電阻器。按工藝不同，可分為薄膜電阻器和厚膜電阻器。它們都是在絕緣材料表面以一定的方式貼上一定電阻率的材料制成的。

薄膜電阻器（高精度、低溫度系數(shù)），薄膜厚度小于10μm，大多小于1μm?？梢赃_(dá)到0.01（％）或0.1（％）的精度。能實(shí)現(xiàn)很低的溫度系數(shù)，因此電阻值的溫度變化很小，最小溫度系數(shù)可達(dá)5ppm。

按工藝不同，可分為薄膜電阻器和厚膜電阻器。它們都是在絕緣材料表面以一定的方式貼上一定電阻率的材料制成的。薄膜電阻器，薄膜厚度小于10μm，其中大部分小于1μm。可以達(dá)到0.01（％）或0.1（％）的精度。能實(shí)現(xiàn)很低的溫度系數(shù)，因此電阻值的溫度變化很小，最小溫度系數(shù)可達(dá)5ppm。厚膜電阻的膜厚一般大于10μm。10（百分比）、5（百分比）、1（百分比）、0.5（百分比）為一般精確度。溫度系數(shù)很難控制，一般都很大。由于其低的溫度系數(shù)和低的電壓系數(shù)，是應(yīng)用最廣泛的電阻器。

片式電阻器是金屬膜電阻器。按工藝不同，可分為薄膜電阻器和厚膜電阻器。它們都是在絕緣材料表面以一定的方式貼上一定電阻率的材料制成的。

薄膜電阻器（高精度、低溫度系數(shù)），薄膜厚度小于10μm，大多小于1μm?？梢赃_(dá)到0.01（％）或0.1（％）的精度。能實(shí)現(xiàn)很低的溫度系數(shù)，因此電阻值的溫度變化很小，最小溫度系數(shù)可達(dá)5ppm。

采用真空蒸發(fā)法和磁控濺射法。電阻膜的主要成分是鎳鉻合金。金屬膜電阻具有良好的溫度穩(wěn)定性、低電流噪聲、低非線性效應(yīng)，并且可以很容易地達(dá)到1（百分比）、0.1（百分比）的精度和誤差。成本比厚膜電阻器高。

厚膜電阻（市場(chǎng)之上常見(jiàn)的電阻和廣泛應(yīng)用的電阻）的膜厚一般大于10μm。10（百分比）、5（百分比）、1（百分比）、0.5（百分比）為一般精確度。溫度系數(shù)很難控制，一般都很大。

厚膜電路一般采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，厚膜激光調(diào)阻器將電阻值調(diào)整到規(guī)定的要求。通常為96（百分比）以Al2O3陶瓷基板為散熱基板，Ag—PD為導(dǎo)體材料，釕和氧化釕為電阻材料，玻璃釉為封裝材料，端部鍍有鎳和錫，溫度系數(shù)±200ppm/℃～±400ppm/℃.

碳膜電阻器是通過(guò)在陶瓷棒的骨架之上沉積結(jié)晶碳而制成的。碳膜電阻成本低。性能穩(wěn)定。的阻力范圍很廣。它是一種廣泛使用的電阻器，由于其低的溫度和電壓系數(shù)。不推薦使用這種類型的電阻器作為啟動(dòng)電阻，因?yàn)樗目箾_擊性能相對(duì)較差。