可以看出，薄膜電阻具有最佳溫度敏感沉積層厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻范圍。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過(guò)程不同，因?yàn)檫_(dá)到不同電阻值所需的薄膜厚度不同，所以在整個(gè)電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機(jī)械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳膜厚將嚴(yán)重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，高電阻薄膜的電阻退化率非常高。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內(nèi)。

可以看出，薄膜電阻具有最佳溫度敏感沉積層厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻范圍。因此，通過(guò)使用不同的沉積層厚度，可以實(shí)現(xiàn)不同的電阻范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過(guò)程不同，因?yàn)檫_(dá)到不同電阻值所需的薄膜厚度不同，所以在整個(gè)電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機(jī)械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳膜厚將嚴(yán)重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，高電阻薄膜的電阻退化率非常高
TCR是一個(gè)不可忽略的小參數(shù)。其單位為ppm/℃（溫度變化引起的電阻值每攝氏度變化百萬(wàn)分之一）。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內(nèi)?？傠娮柚档淖兓c電阻的材料、實(shí)際功率和物理尺寸有關(guān)
厚膜電阻取決于玻璃基質(zhì)中顆粒之間的接觸以形成電阻。這些觸點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)完整的電阻，但運(yùn)行中的熱應(yīng)變會(huì)中斷觸點(diǎn)。由于在大多數(shù)情況下并聯(lián)，厚膜電阻不會(huì)開路，但電阻值會(huì)隨著時(shí)間和溫度的升高而繼續(xù)增加。因此，與其他電阻技術(shù)相比，厚膜電阻的穩(wěn)定性較差（時(shí)間、溫度和功率）
薄膜電阻的物理結(jié)構(gòu)決定了其電流特性。由于結(jié)構(gòu)中電荷串的運(yùn)動(dòng)，顆粒結(jié)構(gòu)也會(huì)使厚膜電阻器產(chǎn)生高噪聲。在一定尺寸下，電阻值越高，金屬成分越少，噪聲越大，穩(wěn)定性越差。厚膜電阻結(jié)構(gòu)中的玻璃成分在電阻加工過(guò)程中形成玻璃相保護(hù)層，因此厚膜電阻的防潮性高于薄膜電阻。
 

摘自：http://www.sznse.com/Article/bmdzdjg.html