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電容器
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薄膜電阻的結(jié)構(gòu)

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-01-19 16:58:00

可以看出,薄膜電阻具有最佳溫度敏感沉積層厚度,但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻范圍。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過(guò)程不同,因?yàn)檫_(dá)到不同電阻值所需的薄膜厚度不同,所以在整個(gè)電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機(jī)械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外,改變最佳膜厚將嚴(yán)重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化,高電阻薄膜的電阻退化率非常高。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內(nèi)。


可以看出,薄膜電阻具有最佳溫度敏感沉積層厚度,但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻范圍。因此,通過(guò)使用不同的沉積層厚度,可以實(shí)現(xiàn)不同的電阻范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過(guò)程不同,因?yàn)檫_(dá)到不同電阻值所需的薄膜厚度不同,所以在整個(gè)電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機(jī)械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外,改變最佳膜厚將嚴(yán)重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化,高電阻薄膜的電阻退化率非常高
TCR是一個(gè)不可忽略的小參數(shù)。其單位為ppm/℃(溫度變化引起的電阻值每攝氏度變化百萬(wàn)分之一)。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內(nèi)??傠娮柚档淖兓c電阻的材料、實(shí)際功率和物理尺寸有關(guān)
厚膜電阻取決于玻璃基質(zhì)中顆粒之間的接觸以形成電阻。這些觸點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)完整的電阻,但運(yùn)行中的熱應(yīng)變會(huì)中斷觸點(diǎn)。由于在大多數(shù)情況下并聯(lián),厚膜電阻不會(huì)開路,但電阻值會(huì)隨著時(shí)間和溫度的升高而繼續(xù)增加。因此,與其他電阻技術(shù)相比,厚膜電阻的穩(wěn)定性較差(時(shí)間、溫度和功率)
薄膜電阻的物理結(jié)構(gòu)決定了其電流特性。由于結(jié)構(gòu)中電荷串的運(yùn)動(dòng),顆粒結(jié)構(gòu)也會(huì)使厚膜電阻器產(chǎn)生高噪聲。在一定尺寸下,電阻值越高,金屬成分越少,噪聲越大,穩(wěn)定性越差。厚膜電阻結(jié)構(gòu)中的玻璃成分在電阻加工過(guò)程中形成玻璃相保護(hù)層,因此厚膜電阻的防潮性高于薄膜電阻。
 

摘自:http://www.sznse.com/Article/bmdzdjg.html

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