在過去20年中，金屬化薄膜電容得到了長足的發(fā)展，電容的體積和重量減少3到4倍，技術(shù)也得到很大改善，薄膜電容具有的許多優(yōu)勢，使薄膜電容在DC濾波上用來替代電解電容是一個趨勢，使用平滑濾波薄膜電容器，可以使薄膜電容比電解電容更加經(jīng)濟地覆蓋600VDC以上的電壓范圍。

  薄膜電容具有很多優(yōu)勢，使薄膜電容替代電解電容成為大功率電力電子設(shè)備市場的趨勢，這些優(yōu)勢包括：

  一、承受高有效電流的能力，可達(dá)300mA/μF。

  二、抗浪涌能力強,能承受1000V/1S的浪涌電壓1000次。

  三、能承受脈沖寬度上升沿和下生沿比為1.2μs:50μs或8μs:20μs的2.5KV尖峰電壓。

  四、承受高峰值電流能力，dv/dt達(dá)100V/μs，電感量小，充放電速度快。

  五、耐壓高，能承受1.5于額定電壓的過壓。

  六、無極性,能長期承受反向脈沖電壓。

  七、介質(zhì)損耗小，溫度特性好，能在120℃下長期工作。
  
  八、體積小，長壽命，沒有酸污染。

  九、可長時間存儲。

  但是，這種替代并非等額容量替代，薄膜電容的容量只需電解電容的1/2~2/3容量。

  薄膜電容與電解電容原理:

  薄膜電容：對薄膜進(jìn)行處理,使金屬原子能夠附在膜上。金屬在真空下蒸發(fā)(對鋁1200℃)濃縮到被處理過的膜表面(膜冷卻到-25℃至-35℃)形成金屬層，如果電介質(zhì)出現(xiàn)短路，金屬鍍層會因此而揮發(fā)并將短路的地方隔離開來，這種現(xiàn)象稱為自愈效應(yīng)，金屬化膜的自愈效應(yīng)是提高電壓梯度的主要因素；對于干式技術(shù)，在脈沖應(yīng)用中，電壓梯度能夠達(dá)到500V/μm以上，在DC濾波的應(yīng)用中，電壓梯度能夠達(dá)到200V/μm，由于電容是按照CEI1071標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行的設(shè)計，電容能夠承受幾次達(dá)兩倍于額定電壓的浪涌電壓的沖擊而不會有明顯的壽命縮短現(xiàn)象。所以，用戶只需考慮應(yīng)用中所需要的標(biāo)稱電壓。