包覆的氧化物與BaTiO3形成共晶相，并沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷內部，在晶界形成一薄層固溶體絕緣層。雖然陶瓷顆粒仍然是半導體，但整個陶瓷體是一個表觀介電常數為2×104～8×104的絕緣體。用這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器。高壓陶瓷電容器用陶瓷材料有兩種：鈦酸鋇和鈦酸鍶。鈦酸鍶的居里溫度為-250℃，室溫下為立方鈣鈦礦結構。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷的介電系數變化不大，TGδ和電容的變化率較小。

在晶粒發(fā)育良好的BaTiO3半導體陶瓷表面，在BaTiO3半導體陶瓷表面涂覆適當的金屬氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在適當溫度下在氧化條件下進行熱處理。包覆的氧化物與BaTiO3形成共晶相，并沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷內部，在晶界形成一薄層固溶體絕緣層。薄的固溶體絕緣層的電阻率很高（高達1012-1013Ω·cm）。雖然陶瓷顆粒仍然是半導體，但整個陶瓷體是一個表觀介電常數為2×104～8×104的絕緣體。用這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器（BL電容器）。
高壓陶瓷電容器用陶瓷材料有兩種：鈦酸鋇和鈦酸鍶。鈦酸鋇基陶瓷具有介電系數高、交流耐壓性能好等優(yōu)點，但也存在電容變化率隨介質溫度升高而增 大、絕緣電阻減小等缺點。鈦酸鍶的居里溫度為-250℃，室溫下為立方鈣鈦礦結構。它是順電的，不存在自發(fā)極化現象。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷的介電系數變化不大，TGδ和電容的變化率較小。