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半導體陶瓷電容器材料的特性

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時間:2021-04-16 16:57:00

包覆的氧化物與BaTiO3形成共晶相,并沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷內部,在晶界形成一薄層固溶體絕緣層。雖然陶瓷顆粒仍然是半導體,但整個陶瓷體是一個表觀介電常數為2×104~8×104的絕緣體。用這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器。高壓陶瓷電容器用陶瓷材料有兩種:鈦酸鋇和鈦酸鍶。鈦酸鍶的居里溫度為-250℃,室溫下為立方鈣鈦礦結構。在高壓下,鈦酸鍶基陶瓷的介電系數變化不大,TGδ和電容的變化率較小。


在晶粒發(fā)育良好的BaTiO3半導體陶瓷表面,在BaTiO3半導體陶瓷表面涂覆適當的金屬氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等),并在適當溫度下在氧化條件下進行熱處理。包覆的氧化物與BaTiO3形成共晶相,并沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷內部,在晶界形成一薄層固溶體絕緣層。薄的固溶體絕緣層的電阻率很高(高達1012-1013Ω·cm)。雖然陶瓷顆粒仍然是半導體,但整個陶瓷體是一個表觀介電常數為2×104~8×104的絕緣體。用這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器(BL電容器)。
高壓陶瓷電容器用陶瓷材料有兩種:鈦酸鋇和鈦酸鍶。鈦酸鋇基陶瓷具有介電系數高、交流耐壓性能好等優(yōu)點,但也存在電容變化率隨介質溫度升高而增 大、絕緣電阻減小等缺點。鈦酸鍶的居里溫度為-250℃,室溫下為立方鈣鈦礦結構。它是順電的,不存在自發(fā)極化現象。在高壓下,鈦酸鍶基陶瓷的介電系數變化不大,TGδ和電容的變化率較小。
 

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