片式電容器的絕緣電阻取決于介質(zhì)材料配方、工藝過(guò)程(燒結(jié))和測(cè)量時(shí)的溫度。所有介質(zhì)的絕緣電阻都會(huì)隨溫度的提高而下降，在低溫(-55℃)到高溫(125℃)的MIL溫度特性范圍內(nèi)可以觀察到一個(gè)非常大的下降過(guò)程。
測(cè)量電容器絕緣電阻的時(shí)候需要重點(diǎn)考慮的是絕緣電阻與電容量的關(guān)系。
電容量值與絕緣電阻成反比，即電容量越高，絕緣電阻越低。這是因?yàn)殡娙萘颗c漏電流大小是相互成正比的，可以用歐姆定律和比體積電容關(guān)系加以說(shuō)明。
考慮到陶瓷電容器中通過(guò)絕緣體的漏電流(i)也可用上述關(guān)系式表示：I=VA’/ρt，這里V=測(cè)試電壓A’=有效電極面積ρ=介質(zhì)電阻率t=介質(zhì)層厚度
從上面關(guān)系式可以看到，對(duì)于給定的測(cè)試電壓，漏電流大小正比于電容器有效電極面積，反比于介質(zhì)層厚度(和電阻率)，即：i∝A’/t
絕緣電阻是測(cè)試電壓的函數(shù)，漏電流正比于外加電壓：i=VA’/ρt或IR=ρt/VA’
對(duì)于任意給定的電容器，絕緣電阻很大程度上依賴于介質(zhì)材料本征的電阻率(ρ)，也依賴于材料配方和測(cè)量時(shí)的溫度。
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圓片瓷介電容
